提高GaN基发光二极管外量子效率的途径

摘要：

发光二极管(LED)低的外量子效率严重制约了LED的发展，本文主要介绍了提高GaN基LED外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术、分布布拉格反射层(DBR)结构、改变LED基底几何外形来改变光在LED内部反射的路径，表面粗化处理，以及新近的光子晶体技术和全息技术等。并对纳米压印与SU8相结合技术在提高LED外量子光效率方面进行了初步探索。

关键词： 芯片非极性面 布拉格反射层 光子晶体 纳米压印 发光二极管

作者: 李为军

作者单位: 国家电光源质量监督检验中心(上海) 国家灯具质量监督检验中心 上海时代之光照明电器检测有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国电光源科技研讨会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 75-83

在线出版日期: 2009-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）