BaTiO3-CaSnO3系压电陶瓷中微观缺陷的正电子湮没研究
测量了不同CaSnO3含量的(1-x)BaTiO3-xCaSnO3压电陶瓷样品符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱。实验结果表明，随着(1-x)BaTiO3-xCaSnO3陶瓷样品中caSnO3含量x的升高，正电子寿命谱的第二组分强度I2及平均寿命τm均升高，商谱谱峰降低，陶瓷样品中的缺陷浓度升高。在BaTiO3陶瓷中添加CaSnO3，将抑制晶粒的生长，使品界缺陷增加。随着烧结温度的升高，0.8BaTiO3-0.2CaSnO3和0.6BaTiO3-0.4CaSnO3陶瓷样品的晶粒最大，晶界缺陷和空位等减少，陶瓷样品的商谱降低。
BaTiO3-CaSnO3系 压电陶瓷 微观结构 晶界缺陷 正电子湮没
黄宇阳 张伟 唐锋意 陈松 韩艳玲 邓文
广西大学物理科学与工程技术学院,广西 南宁 530004
国内会议
南宁
中文
23-28
2009-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）