Fe掺杂对La2/3Sr1/3Mn1-xFexO3磁电阻材料微观缺陷的影响
采用标准同相反应法制备La2/3Sr1/3Mn1-xFexO3(x=0.00～0.50)系列多晶陶瓷样品，测量其磁电特性、正电子湮没多普勒展宽谱和寿命谱.结果表明：样品的室温磁电阻MR随外加磁场B的增强而增大.MR-B的变化曲线关于外加磁场B左右对称，早V字形；而样晶的室温电阻率p则随外加磁场B的增强而下降，p-B的变化曲线芙丁磁场B左右对称，呈倒V字形.此外，当外加磁场相同时.试验样品的纵向磁电阻值比横向磁电阻值大.这表明La2/3Sr1/3Mn1-xFexO3系列多晶陶瓷样品具有负的磁电阻效应和磁电阻是各向异性的.讨论了材料的微结构对其磁电特性的影响。
多晶陶瓷样 磁电阻材料 室温磁电阻效应 稀土锰氧化物 正电子湮没 铁掺杂
王选理 韩艳铃 陈松 唐宇 黄宇阳 邓文
西人学物理科学与工程技术学院,南宁,530004
国内会议
南宁
中文
33-39
2009-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）