有序介孔结构的正电子湮没技术表征

摘要：

通过蒸发诱导自组装技术分别以P123和F127三嵌段共聚物为模板制备了具有不同有序结构的介孔SiO2薄膜，通过正电子湮没多普勒展宽能谱和同步辐射小角X射线反射率等技术对其孔结构进行表征，并分析探讨了孔形状正电子湮没特性的影响。

关键词： 有序介孔 二氧化硅薄膜 正电子湮没 结构表征 X射线反射率

作者: 秦秀波 于润升 马敏阳 张鹏 贾全杰 王宝义 魏龙

作者单位: 中国科学院高能物理研究所 核分析技术重点实验室,北京 100049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国正电子湮没谱学会议

会议地点: 南宁

会议语种:中文

页码: 70-72

在线出版日期: 2009-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）