Gd/Eu替代浓度对Y1-xRxBa2Cu3O7-δ(R=Gd，Eu)体系局域电子密度和超导电性的影响
利用正电予湮没和X射线衍射技术，对Gd/Eu替代Y位的Y1-xRxBa2Cu3O1-δ(R=Gd,Eu)(x=0.0，0.2，0.5，1.0)超导体系进行了系统研究，分析了Gd/Eu替代量对局域电子密度、电子结构和超导电性的影响。XRD实验表明所有样品均保持与YBa2Cu3O7-δ相同的单相止交结构。止电子湮没实验表明，正电子平均寿命随Gd/Eu替代浓度增加而增加，局域电子密度与替代量有关。Gd/Eu替代Y位不仅影响Y位的电子密度，同时也影响了Cu-O链周围的电子密度分布。这些结果证明局域电子密度的变化、单相正交结构畸变、Cu-O链和CuO2面间的耦合都会影响Y1-xRxBa2Cu3O7-δ体系的超导电性。
Y1-xRxBa2Cu3O7-δ 铕/钆替代浓度 局域电子密度 正电子湮没 X射线衍射 超导电性
陈镇平 王春梅 薛运才 薛人中 李涛 胡义斌 袁晓辉
郑州轻工业学院,河南,450002
国内会议
南宁
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81-85
2009-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）