退火对多孔硅材料发光性能的影晌

摘要：

本文采用正电子湮没寿命谱和正电子寿命.动量关联谱(AMOC)对不同温度下真空退火以及水蒸气环境下退火的多孔硅样品的微观缺陷结构进行了表征，结合发射光谱测量结果对多孔硅材料的发光机理进行了讨论。

关键词： 正电子湮没 多孔硅材料 发光性能 微观缺陷 结构表征 真空退火

作者: 李卓昕 王丹妮 秦秀波 王宝义 魏龙 薛德胜

作者单位: 中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京 100049 兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州 730000 中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京 100049 兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州 730000

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国正电子湮没谱学会议

会议地点: 南宁

会议语种:中文

页码: 105-106

在线出版日期: 2009-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）