Si基半导体中微观缺陷和微量元素行为的正电子湮没研究
测量了不同C或B含量经不同温度下烧结制备的Si基半导体、单晶Si、单晶SiO2、石墨和纯多晶B样品的正电子寿命谱和符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱。结果表明，石墨的商谱谱峰最高，SiO2的谱峰次之，B的谱峰最低。随着B，C和O原子序数的增加，与正电子湮没的电子动量增加。含20%的C和含100ppm的B的样品的商谱的谱峰最高；含100ppm的B的样品的谱峰次之：含1ppm的B的样品的谱峰最低。随着烧结温度的升高，含100ppm的B的Si基半导体样品的商谱降低，正电子寿命增长，缺陷开空间和浓度升高。
硅基半导体 微量元素行为 微观缺陷 正电子湮没 烧结温度
韩艳玲 陈玉辉 韩丽芳 黄宇阳 邓文
广西大学物理科学与工程技术学院,广西 南宁 530004
国内会议
南宁
中文
107-111
2009-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）