正电子谱学湮没多参数测量技术及应用

摘要：

正电子在介质中的湮没行为强烈地依赖于材料的种类与状态，特别是当正电子被材料中缺陷“局域化”，即正电子被缺陷捕获湮没时，其寿命与缺陷性质密切相关，可提供材料微观缺陷的结构信息。本文主要针对正电子湮没多参数测量技术的特点进行介绍，对一些关键技术问题进行简要的讨论，并列举一些典型应用结果。

关键词： 正电子谱学湮没 多参数测量 技术体系 微观结构 缺陷检测

作者: 王宝义 秦秀波 李卓昕 王丹妮 于润升 魏龙

作者单位: 中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京 100049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国正电子湮没谱学会议

会议地点: 南宁

会议语种:中文

页码: 121-122

在线出版日期: 2009-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）