Co催化基于6H-SiC单晶的石墨烯制备

摘要：

采用磁控溅射制备Co(200nm)/6H-SiC异质结,在500-1000℃下退火,通过X-射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱散射(AES)、拉曼光谱散射(Raman)研究接触界面的化学反应。研究表明高温下反应易生成稳定的化合物Co2Si,反应生成的C单质经扩散会富集于界面的最表面,并呈现晶态石墨和无定形结构。

关键词： 磁控溅射 电子能谱散射 拉曼光谱散射 石墨烯 化学反应

作者: 李存 滕蛟 张桢 袁文霞

作者单位: 北京科技大学应用科学学院,北京,100083 北京科技大学材料学院,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 112-115

在线出版日期: 2009-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）