高压晶体化学初探--SiO2多形在高压条件下中氧和硅的离子半径的计算

摘要：

高压晶体化学研究主要来自两个学术领域:人工及自然的高压合成物及高压矿物及计算晶体学。本文指出在温度和压力不断增加的情况下物质如何相应地发生变化是当前化学家和地球物理学家最感兴趣的问题之一。笔者认为阴离子与阳离子相比较而言，往往在电子排布轨道和形状、轨道能级高低、电子亲合能及负电性等方面具有明显的不同，导致压力增高时阴离子或阳离子的离子半径的变化会有所不同。

关键词： 高压晶体化学 电子亲合能 离子半径 计算晶体学

作者: 施倪承 李国武 熊明 马喆生

作者单位: 中国地质大学(北京),北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 194-195

在线出版日期: 2009-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）