锰掺杂与铁掺杂硅薄膜微结构研究

摘要：

锰掺杂硅与铁掺杂硅材料由于被认为可以作为很有发展前景的铁磁半导体(FMS)材料而得到越来越多的研究。所以,了解这类材料的微结构对于材料生长和了解它们的物理性质是非常重要的。双晶X射线衍射(DCXRD)对于研究这类材料提供了一个非常有力的工具。在本文中,笔者用双晶XRD研究了锰掺杂硅薄膜与铁掺杂硅薄膜微结构,从双晶XRD结果可以发现,随退火温度提高,锰或铁在硅薄膜的晶格中由填隙位置变为替位位置。

关键词： 锰掺杂 铁掺杂 铁磁半导体 硅薄膜 微结构

作者: 王佳乐 苏卫锋 徐闰 樊永良 蒋最敏

作者单位: 应用表面物理国家重点实验室,复旦大学,上海 200433 电子信息材料系,材料科学与工程学院,上海大学,上海 200444

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 224-225

在线出版日期: 2009-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）