6H-SiC单晶衬底上的超薄Pt膜

摘要：

采用磁控溅射技术在6H-SiC单晶衬底上厚度为2nm的Pt膜,真空条件下样品经高温退火。采用拉曼、AFM、SEM进行对界面进行表征,结果发现退火过程会使得界面发生化学反应,生成Pt的硅化物和单质碳,样品表面呈现岛状生长形貌。当退火温度升高,碳的石墨化程度加强。由于在硅化物的溶解度很低,部分碳经扩散后分布于样品的最表面。缩短退火时间,对无定形碳转变为晶态石墨的影响不显著。

关键词： 碳化硅 磁控溅射 单晶衬底 退火过程 薄膜制备

作者: 曾小鹏 杨静静 张桢 郭中楠 袁文霞

作者单位: 北京科技大学应用科学学院,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 288-291

在线出版日期: 2009-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）