X射线在SiC晶体质量表征中的应用

摘要：

SiC单晶是非常重要的第三代半导体材料，其独特的物理性质决定了在大功率、微波电子器件中的地位，还可以应用到光电子领域，在半导体固体白光照明中也担当了不凡的角色。SiC结晶质量的好坏，直接影响到后续的外延膜及器件质量的优劣。所以对SiC结晶质量的客观表征，尤为重要。SiC单晶在切割、研磨、抛光等加工过程会引入晶片表面的损伤，这些损伤可能包括多晶层、弹性畸变层、微裂纹、位错、残余应力、表面缺陷等等，而这些损伤层与晶体内部的结构是有微小差异的。

关键词： 半导体材料 残余应力 表面缺陷 晶体质量 X射线衍射

作者: 张玮 郭钰 娄艳芳 彭同华 刘春俊 张贺 王锡明 陈小龙

作者单位: 北京天科合达蓝光半导体有限公司,北京,100190 北京天科合达蓝光半导体有限公司,北京,100190 中国科学院物理研究所,北京,100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 307-308

在线出版日期: 2009-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）