InGaAs量子阱中异常的电子退相

摘要：

电子退相时间描述了微观系统的量子行为转换到经典行为的快慢。它是研究半导体输运行为一个重要参量。对于二维量子阱而言，非弹性的电子-电子相互作用决定了电子的退相过程。这表明电子退相时间对温度和电导的依赖关系可以用费米-液滴理论来描述。然而，通过研究InGaAs/InAIAs量子阱材料的弱反局域效应(weak antilocalization)发现电子表现出异常的退相行为。

关键词： 量子阱 电子退相 半导体输运

作者: 高矿红 俞国林 周远明 周文政 褚君浩 戴宁

作者单位: 上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室 上海 200083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 18

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）