自旋光电流的光场调制效应

摘要：

用波长1064nm的近红外圆偏振光垂直入射激发三角形GaAs量子阱，量子阱内部的电子发生从基态到连续态的跃迁，形成自旋极化光电流。与此同时采用波长为532nm的非偏振激光斜入射于样品同一位置，观察到1064nm偏振光激发的自旋光电流强度会受到532nm光强度的调制，并在532nm光强度超过一定阈值时达到饱和。

关键词： 量子阱 自旋光电流 光场调制

作者: 陈涌海 蒋崇云 刘雨

作者单位: 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 22

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）