Ga1-xMnxAs的拉曼光谱

摘要：

近年来，半导体自旋电子学得到了迅速发展，1996年，Ohno等通过低温分子束外延(MBE)的方法制备出稀磁半导体GaMnAs，这引发了人们对Mn掺入GaAs的研究兴趣。在GaMnAs中，二价Mn离子取代Ga的位置成为受主杂质，提供了大量空穴，使得Mn磁性离子之间能够产生以空穴为中介的交换作用，从而使其具有优良的铁磁性。笔者进行了薄层GaMnAs材料的拉曼散射。

关键词： 自旋电子学 稀磁半导体 分子束外延 拉曼散射

作者: 苏平 龚敏 曹先存 史同飞 马瑶 孟祥豪 石瑞英

作者单位: 四川大学物理科学与技术学院,成都 610064 中国科学院固体物理所,合肥 230031 成都理工大学,成都 610059

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 30-31

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）