氧气分压对Fe掺杂In2O3薄膜磁性的影响

摘要：

近年来，稀磁半导体由于在自旋电子学领域具有潜在的应用价值而受到了人们的广泛研究。但是，一些主体氧化物半导体对过渡金属固熔量较小，容易形成第二相团簇，导致这些化合物的铁磁性来源于磁性杂质。In2O3是一种透明的，宽禁带(3.75eV)半导体，具有立方方铁锰矿结构，Fe的固熔度高达20％。因此，过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体的研究备受人们的关注。

关键词： 稀磁半导体 自旋电子学 氧气分压 薄膜磁性

作者: 江凤仙 张君 许小红

作者单位: 山西师范大学化学与材料科学学院,临汾,041004

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 32

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）