掺铁硅基稀磁半导体薄膜的制备及其电学性质研究

摘要：

Ⅳ族稀磁半导体由于与传统半导体材料的兼容性，引起了人们的广泛关注。据报导，实验上已有MnxGe1-x、Mnxsi1-x、FexGe1-x等稀磁半导体材料的制备及物理性质研究，但关于铁掺杂的硅基稀磁半导体却没有相关的报导。本文主要研究Fe0.04Si0.96薄膜的电学性质。

关键词： 稀磁半导体 薄膜制备 铁掺杂 电学性质

作者: 苏卫锋 王佳乐 朱海 樊永良 蒋最敏

作者单位: 应用表面物理国家重点实验室,复旦大学,上海 200433

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 38

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）