(Ga，Mn)As光电导的测量

摘要：

作为Ⅲ-Ⅴ族稀磁性半导体的代表，(Ga，Mn)As自从被成功地生长制备以来，在过去数年中，研究人员对它的电学和磁学性质进行了广泛和深入的研究，然而通过光学手段对其性质的研究还比较少。本文报导了(Ga，Mn)As在低温和强磁场下的光电导测量，随着入射到(Ga，Mn)As薄膜上的激光的偏振性的改变，它的电阻呈现出不同的变化规律。

关键词： 稀磁性半导体 光电导测量 磁学性质 电学性质

作者: 李江 姬扬 王玮竹 赵建华

作者单位: 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 51

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）