稀磁性半导体(In1-xTbxSn0.1)2O3薄膜的结构和磁性研究

摘要：

稀释磁性半导体是指少量的磁性离子掺杂到半导体中，它既具备半导体性质，又具有铁磁性，因此稀释磁性半导体被认为是最有希望用来制作自旋电子器件的材料。近年来，稀磁半导体主要集中在用过渡族金属掺杂半导体材料，用稀土元素掺杂的很少。本文拟对稀土元素Tb掺杂(In0.9Sn0.1)2O3薄膜进行研究。

关键词： 磁性半导体 离子掺杂 稀土元素 薄膜结构

作者: 左亚路 颜世明 葛世慧

作者单位: 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 52

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）