Heusler合金Co2FeAl薄膜的分子束外延生长

摘要：

Heusler合金是一种半金属材料，理论上预言其自旋极化率在费米面附近能达到100％，而且许多Heusler合金具有很高的居里温度，因此被普遍认为是一种极具应用潜力的自旋电子学材料。本研究利用MBE在GaAs(001)衬底上外延生长了Heusler合金Co2FeAl薄膜，得到了质量较高的单晶样品，掌握了合适的生长参数。

关键词： 外延生长 合金薄膜 自旋极化率 分子束

作者: 孟康康 赵建华

作者单位: 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 57-58

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）