关于氧化物稀磁半导体室温铁磁性起源的研究
自旋电子学是近年来凝聚态物理研究最热的课题之一，有效的操纵和控制电子的电荷与自旋，是科学家们不断追求的目标。但是，十多年来，在对半导体进行载流子的自旋极化注入方面的研究上，一直都没有突破性的进展，直到室温稀磁半导体的发现，由于它能够解决目前存在的自旋极化注入的问题，从而引起了科学家们极大的兴趣。本文在充分调研的基础上，对氧化物稀磁半导体室温铁磁性的起源进行了大量而系统的研究。
氧化物 稀磁半导体 载流子 自旋极化注入 铁磁性
杨继勇 李惟慎 李恒 孙祎 聂家财
北京师范大学物理系,北京,100875
国内会议
长春
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2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）