分子束外延法生长InCrSb薄膜形貌和磁学特性
磁性半导体由于同时具备磁性和半导体特性而受到广泛的关注。其中，Ⅲ-Ⅴ族磁性半导体(Ga，Mn)As被普遍研究，目前认为它的铁磁性基本来源于以空穴为媒介的p-d交换作用。但是迄今关于Cr参杂半导体研究工作开展较少，关于其磁性来源也一直没有定论。另一方面，窄带隙半导体材料导带与价带电子之间相互作用使其具有不同于其它半导体材料的光学与电学性质，极大地激发了人们研究中远红外波段的自旋电子器件热情。本文中利用分子束外延技术制备了Cr参杂的窄禁带磁性半导体InCrSb薄膜，并对其磁性质进行了研究。
分子束外延 薄膜形貌 磁学特性 磁性半导体
闫帅 陈林 徐朋法 赵建华
中国科学院半导体所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
国内会议
长春
中文
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2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）