光照对AlxGal-xN/GaN异质结二维电子气系统中拍频效应和WAL效应的影晌

摘要：

AlXGa1-xN/GaN异质结二维电子气的自旋输运特性是当前自旋电子学的一个研究热点。因为有理论预测基于GaN基的稀磁半导体的居里温度高于室温，这使得制备室温自旋器件成为可能。另外，GaN基稀磁半导体是自旋注入的理想材料，因为，GaN基稀磁半导体与ALGaN/GaN异质结的晶格很好匹配。

关键词： 异质结 二维电子气 拍频效应 自旋输运 自旋电子学 稀磁半导体

作者: 周文政 沈波 郭少令 桂永胜 褚君浩 林铁 商丽燕 高矿红 周远明 魏来明 俞国林 唐宁 韩奎

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所 上海 200083 广西大学物理科学与工程技术学院,南宁 530004 华东师范大学信息学院极化材料与器件教育部重点实验室 上海 200062 北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室 北京 100871 中国科学院上海技术物理研究所 上海 200083 中国科学院上海技术物理研究所 上海 200083 华东师范大学信息学院极化材料与器件教育部重点实验室 上海 200062

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 63-64

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）