铁电/GaN异质结构的材料参数与二维电子气特性理论研究
铁电/半导体异质结构可望呈现出与众不同的物理机制，从而导致新材料和器件设计的可能性。随着复杂氧化物理论和生长技术的新发展，硅、锗、砷化镓和氮化镓上生长铁电薄膜已经正在变成现实。此外，在铁电材料上生长三族氮化物也有报道。这些在原子规模上控制异质界面结构的进展使得研究多层异质结构的物理机制并利其新效应成为可能。本文在第一性原理获取极化和应变条件下材料参数的基础上，结合铁电极化随外加电场的依赖关系，利用屯荷控制模型原理探索了极化或应变条件下4种典型的铁电/GaN异质结构:BTO/GaN, BTO/AIGaN/GaN和AICaN/GaN和应变AIGaN/GaN异质结构的2DEG特征，这为新型器件设计提供了一些理论参考。
异质结构 二维电子气 铁电薄膜 屯荷控制 半导体材料
张继华 杨传仁 吴松 刘颖 陈宏伟 张万里 李言荣
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054
国内会议
长春
中文
69-70
2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）