ZnO：Ga透明导电薄膜的低温生长及其性能研究
ZnO是一种Ⅱ-V族宽禁带化合物半导体材料，在光电、压电、铁电、铁磁等诸多领域具有优异的性能。特别是，施主掺杂的ZnO是一种典型的透明导电氧化物(TCO)材料，可以取代目前商业上使用的ITO薄膜。在ZnO的施主掺杂中，最为常用的是Al，Al掺杂的ZnO被称为AZO薄膜。但是Al掺杂也有其不足之处，Al是一种活性很强的元素，在生长时容易出现Al2O3相；与Al相比，Ga的活性较弱，Ca掺杂时不容易生成Ga2O03相，可以获得更高的载流子浓度。本文探讨了GZO薄膜的生长工艺，特别是低温生长工艺及其性能。GZO薄膜的低温制程有利于实现其在器件制备中的广泛应用，如太阳能电池等领域。
透明导电薄膜 宽禁带化合物 半导体材料 薄膜制备 低温生长
吕建国 别勋 叶志镇
浙江大学 硅材料国家重点实验室 杭州 310027
国内会议
长春
中文
71-72
2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）