宽带隙半导体SiC材料与器件基础问题研究进展
宽带隙半导体碳化硅(SiC)材料具有高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，在高耐压、高温高频和抗辐射器件方面能够实现硅材料无法实现的高功率低损耗等优异性能，在电力系统、电动汽车、通讯、航天和军事等领域中具有广泛应用，其研究广为关注。本文现借此机会结合国际国内研究现状介绍其主要研究进展。
宽带隙半导体 碳化硅 漂移速度 击穿电场 热导率
王德君
大连理工大学电子与信息工程学院 辽宁大连 116024
国内会议
长春
中文
76-78
2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）