V基n-Al0.4Ga0.6N欧姆接触的研究

摘要：

在Ⅲ族氮化物的发展过程中，欧姆接触的实现一直是一个重要的问题，特别是对于高Al组分AlGaN，在短波长LED、LD和UV探测器上有着广阔的应用前景。对于n—AlGaN材料Ti基接触通常需要850度以上的退火温度才能形成欧姆接触，最近的研究显示V基接触比Ti基接触能在更低的退火温度下形成更低的接触电阻。本文研究了V基欧姆接触和传统Ti基欧姆接触，发现在A1GaN样品上Ti基接触到850度才能形成欧姆接触而V基接触在700度即可形成欧姆接触且比接触电阻率更低，通过XPS和XRD分析在退火过程中V与N反应形成V的氮化物对欧姆接触的形成起着重要的作用。

关键词： 欧姆接触 退火温度 氮化物 接触电阻

作者: 李涛 秦志新 桑立雯 许正昱 沈波 张国义

作者单位: 北京大学 物理学院宽禁带半导体研究中心 北京 100871 北京大学 物理学院宽禁带 半导体研究中心 北京 100871 北京大学物 理学院宽禁带半导体研究中心 北京 100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 84-85

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）