n-GaAs同质结远红外探测器的研究
高性能的远红外探测器的研制是天体物理以及新材料研究的需要，其发展的主要目标是拓展探测器的探测范围和提高器件性能。近年来，一种同质结内发射功函数远红外探测(HtIWIP)概念的提出和实现极大地丰富和发展了此领域。其突出的优点是截止波长原则上可以无限制延伸并且能够将探测器与现有的GaAs或Si材料工艺的相融合。本文针对n-GaAs HIWIP探测器进行探测器参数的全面优化，以期获得高的量子效率。
远红外探测器 探测范围 同质结 量子效率
张月蘅 郑美妹 沈文忠
上海交通大学 物理系 上海 200240
国内会议
长春
中文
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2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）