Al0.245Ga0.755N/GaN异质结和Ni/Au肖特基接触间插入薄铝层的肖特基结的漏电机制

摘要：

目前GaN基HEMT器件中肖特基的反向漏电仍然是制约GaN基HEMT器件发展的一个瓶颈。本文在Ni/Au栅和Al0.245Ga0.755N/GaN异质结间插入了3nm的薄铝层，并对这种新型肖特基结和传统Ni/Au肖特基结伏安特性和高温反偏漏电机制做了比较，结果表明铝薄层的插入明显改善了肖特基结常温和高温的伏安特性。

关键词： 异质结 漏电机制 伏安特性 铝薄层 肖特基结

作者: 刘芳 王涛 黄森 许福军 林芳 马楠 沈波

作者单位: 天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津 300072 天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津 300072 北京大学物理学院宽禁带半导体研发中心,北京 100871 北京大学物理学院宽禁带半导体研发中心,北京 100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 95-96

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）