Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料的低压MOCVD生长
红外波段是光学技术中非常重要的波段，在军用和民用方面有着广泛的应用，如环境监控、痕量气体探测、长距离超低损耗光纤通讯、激光雷达以及红外对抗等。笔者采用自制的水平低压MOCVD设备，在GaSb衬底上外延生长了几种InAs/GaSb超晶格结构，利用双晶X射线衍射(DCXRD)、光学显微镜、原子力显微镜(AFM)，透射电镜(TEM)和光致发光谱(PL)等分析手段研究了InAs/GaSb超晶格结构生长技术。通过优化MOCVD生长参数，如生长温度，Ⅲ/V比等，确定了最佳的生长工艺条件，降低失配位错，优化界面特性，生长出高质量的外延材料和器件结构，获得了表面光亮的晶体质量较好的Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料。
超晶格材料 红外波段 透射电镜 原子力显微镜 晶格生长
汪韬 王警卫 尹飞 宋振宇 殷景志 王一丁
中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室 西安 710119 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区 吉林大学电子科学与工程学院 长春 130012
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2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）