宽带隙立方氮化硼薄膜的n型掺杂研究
立方氮化硼是人工合成的Ⅲ-V族闪锌矿结构化合物半导体材料，它具有类似于甚至优于金刚石的优良的物理、化学性质而成为人们研究的热点。例如：c-BN的禁带宽度很大(6～6.4eV)，可实现n型和p型掺杂，因此可用于制备高温、高频、大功率微电子器件和短波光电子器件。本文中，通过原位掺S的方法，在利用磁控溅射系统沉积HN薄膜的过程中成功地实现了薄膜的n型掺杂。掺杂后的薄膜利用傅立叶变换红外吸收光谱进行表征:并在薄膜上制备Ag电极，使用Keithley 5517高阻仪测量了样品的表面I-V特性。
磁控溅射 立方氮化硼 薄膜制备 傅立叶变换 红外吸收光谱
姚倩 邓金祥 汪旭洋 杨萍 陈光华
北京工业大学应用数理学院 北京 100124
国内会议
长春
中文
103-104
2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）