n型4H-SiC晶体缺陷的无损表征

摘要：

目前在SiC缺陷方面的研究一般都是通过刻蚀或者TEM这种有损的方法进行分析，而对于无损表征只是局限于对某种缺陷的表征，如对4H-SiC材料的堆垛层错的无损表征，对于SiC材料的多种缺陷利用一种方法同时进行表征的还未见报道。本文利用阴极荧光联合分析系统对偏8°的4H-SiC外延材料缺陷进行无损测试，从材料的表面以及深层对缺陷进行观测，同时得到了多种缺陷形貌，为4H-5iC材料与器件的研究工作提供有价值的信息。

关键词： 晶体缺陷 外延材料 无损测试 阴极荧光

作者: 苗瑞霞 张玉明 汤晓燕 张义门

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 110-111

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）