MOCVD AlxGa1-xNGaN多层异质结构的表面与界面表征

摘要：

CaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料，其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用。本文采用掠入射X射线衍射与原子力显微镜表面形貌技术对MOCVD生长的6周期AlxGa1-xN/GaN超晶格结构的表面与界面进行了表征。

关键词： 氮化镓 半导体材料 异质结构 表面形貌 超晶格结构

作者: 王元樟 李金钗 李书平 陈航洋 刘达艺 康俊勇

作者单位: 厦门大学半导体材料及应用福建省重点实验室,厦门理工学院数理系 厦门361024 厦门大学半导体材料及应用福建省重点实验室,厦门大学物理学系 厦门 361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 115

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）