Si纳米线的固-液-固可控生长

摘要：

由于准一维纳米结构-Si纳米线具有许多新颖的电学、光学、磁学以及力学等物理性质，从而使其在场发射器件、单电子存储器件、高效率激光器、纳米传感器以及高转换效率太阳电池等光电子器件中具有重要的实际应用。本工作以Au膜为催化剂，并基于固-液-固生长机制，直接从n-Si(111)单晶衬底上制备出了高质量的Si纳米线。实验研究了Au膜厚度、退火温度、N2气流量等工艺参数对Si纳米线生长的影响。

关键词： 纳米线 单晶衬底 纳米结构 退火温度

作者: 彭英才 范志东 白振华 马蕾

作者单位: 河北大学电子信息工程学院,保定 071002

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 140-141

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）