锰掺杂与铁掺杂硅薄膜微结构研究
锰掺杂与铁掺杂硅材料由于被认为可以作为很有发展前景的铁磁半导体(FMS)材料而得到越来越多的研究。而锰硅化合物由于具有大的Seebeck系数，可以作为热电器件材料得到广泛研究，同时低温β相FeSi2由于它的直接带隙特性以及和现有硅工艺的相容性，也得到了广泛关注。在本文中，用拉曼光谱和双晶XRD研究了掺杂与铁掺杂硅薄膜，首次确定了锰硅化合物的两个相，MnSi1.73和MnSi,与传统XRD方法相比，拉曼光谱对于这一类物质结构更加灵敏。另外，从双晶XRD可以发现，随退火温度提高，锰或铁在硅薄膜的晶格中由填隙位置变为替位位置。另外，从拉曼光谱中可以看到，随退火温度不同，形成的MnSi1.73或β-FeSi2化合物的量并没有明显变化。
锰掺杂 铁掺杂 硅薄膜 拉曼光谱 半导体材料
王佳乐 苏卫锋 徐闰 樊永良 蒋最敏
应用表面物理国家重点实验室,复旦大学,上海 200433 电子信息材料系,材料科学与工程学院,上海大学,上海 200444
国内会议
长春
中文
144-145
2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）