GaNAs/GaAs量子阱界面性质的偏振差分反射谱研究
稀氮化合物半导体具有大的能带弯曲常数，是制作1.3-1.55μm半导体激光器很有潜力的材料。近年来，人们已经对GaAsN/GaAs量子阱的光学性质进行了大量的研究。人们发现GaAsN/GaAs量子阱的光学性质随氮浓度的升高而下降。本文采用偏振差分反射谱(RDS)研究界面性质随氮浓度升高的变化。研究表明，随氮浓度升高，上界面的氮原子偏析长度增大，界面陡峭度降低,界面粗糙度增大，与其他文献报道的结果，一致。可见，RDS是对异质界面进行无损表征的十分有效方法。
偏振差分反射谱 界面性质 光学性质 量子阱
俞金玲 陈涌海 汤晨光
中科院半导体研究所材料重点实验室,北京,100083
国内会议
长春
中文
146-147
2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）