GaAs半导体量子点中电子的Stark效应

摘要：

低维半导体量子点材料在二十一世纪纳米电子学中有极大的应用潜力，激发了人们在这个领域的研究兴趣。研究该材料中有关电子属性有利于理解量子器件原理，例如激光器件中吸收和发射现象，是非常有意义的课题。本文探讨了电场方位、量子尺寸对Stark能移的影响。

关键词： 半导体量子点 纳米电子学 电场方位 量子尺寸

作者: 王升

作者单位: 大庆石油学院 电子科学院 大庆 163318

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 161-162

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）