硅材料场致二阶非线性光学效应的理论和实验研究
硅是目前应用最为广泛、工艺最为成熟的传统半导体材料，它不仅是微电子学领域的主体材料，也是发展集成光学、集成光电子学的首选材料。由此发展起来的硅基光电子学、硅光子学已经成为目前的研究热点之一。制约硅光子学发展的重大障碍有两个，一是硅材料具有间接带隙的能带结构，二是硅材料具有反演对称性，没有线性电光效应、倍频效应、光整流效应等二阶非线性光学效应。为了使硅材料具有线性电光效应，就必须破坏硅材料的反演对称性。这可以通过应力和电场来实现。本文重点研究了硅材料中直流电场诱导产生的场致二阶非线性光学效应。
硅材料 光学效应 反演对称性 直流电场诱导
陈占国 贾刚 刘秀环 赵建勋 张玉红 朱景程 孙鉴波 张志平
集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区 吉林大学电子科学与工程学院,长春 130012
国内会议
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2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）