GaN模板上MOCVD生长InxAl1-xN的缺陷研究

摘要：

InxAlt-xN三元合金的禁带宽度跨越红外(0.7 eV)到深紫外(6.2 eV)的范围，使其在光电子器件上有重要的应用前景。InxAl1-xN/GaN异质结构在x=0.18时，InxAl1-xN与GaN晶格匹配，并且由于大的自发极化差和导带不连续产生>2.0x1013cm-3浓度的二维电子气，在大功率微波电子器件上也正引起人们的重视。本文研究了与GaN匹配附近的InxAl1-xN材料中的缺陷，并讨论了应力对缺陷形成的影响。

关键词： 禁带宽度 三元合金 晶格匹配 异质结构

作者: 苗振林 沈波 于彤军 许福军 宋杰 鲁麟 杨志坚

作者单位: 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 173

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）