半绝缘4H-SiC中本征缺陷的高温退火行为

摘要：

在高纯半绝缘材料中，材料的半绝缘性能是由材料的本征缺陷所决定，本征缺陷不仅影响载流子的输运特性，同时对浅能级杂质补偿也具有重要的作用。其中部分本征缺陷如VC、Vsi、VcVsi以及比VcCsi等本征缺陷已经通过电子顺磁共振(EPR)和光致发光谱(PL)检测到，且这些本征缺陷具有各自的高温退火行为。研究本征缺陷的退火行为有利于充分发挥材料的应用潜能。

关键词： 半绝缘材料 本征缺陷 光致发光谱 电子顺磁共振

作者: 程萍 张玉明 张义门 郭辉

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 174

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）