高阻GaN和非故意掺杂常规GaN黄带发光性质的对比研究

摘要：

Gab/中与缺陷相关的黄带(YL)一般归因于从浅施主或导带到深受主的跃迁。然而，贡献于YL的深受主来源仍然处于争论之中。大量的研究表明在非故意掺杂和n型GaN中，镓空位(VGa)相关的缺陷，如VGa-ON被认为是主要的来源。相对于非故意掺杂常规和n型GaN而言，高阻GaN中YL相关的研究还非常少。本文采用光致发光谱(PL)和正电子湮灭谱对比研究了MOCVD方法制备的高阻GaN和非故意掺杂常规GaN中黄带发光的特点和相关的机制。

关键词： 发光性质 正电子湮灭谱 光致发光谱

作者: 许福军 沈波 苗振林 宋杰 杨志坚 张国义

作者单位: 北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871 北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 181

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）