AlN插入层对AlxGa1-xN/GaN异质结微结构和电学性质的影响

摘要：

AlxGa1-xN/GaN异质结在高温、高频和高功率电子器件方面有很大的应用前景。对AlxGa1-xN/GaN异质结的研究中的一个重要的问题是提高其二维电子气体的输运性质。采用AIN插入层可以有效地提高二维电子气的迁移率，其原因是AIN插入层能有效地降低二维电子气(2DEG)的合金无序散射。本文研究发现，一个恰当厚度的A1N插入层能够有效改善AlxGa1-xN/GaN异质结的微结构，从而提高了2DEG的迁移率。

关键词： 电学性质 异质结 二维电子气 迁移率

作者: 宋杰 沈波 许福军 苗振林 黄森 鲁麟 杨志坚 张国义

作者单位: 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 184

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）