GaN表面缺陷的原子力显微镜表征

摘要：

GaN作为一种重要的Ⅲ-V族宽禁带化合物半导体材料，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，具有优良稳定的物理及化学性质，已成为研究和应用的热点。本文采用XRD和AFM对GaN表面缺陷进行了研究。

关键词： 表面缺陷 半导体材料 原子力显微镜 宽禁带化合物

作者: 王志红 孙浩明 黄铭钢 任志强 曾慧中 李言荣

作者单位: 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 196

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）