GaAs/AlxGa1-xAs对称耦合双量子阱中激子结合能的压力效应

摘要：

随着新实验现象和新型光电子器件应用研究的发展，耦合双量子阱系统受到普遍的关注.此外，在压力作用下，半导体中原子间距会发生变化，使得材料能带结构、载流子有效质量、介电常数以及晶格振动频率等都将改变。鉴于此，本文计算耦合双量子阱中重空穴激子基态结合能的压力效应。

关键词： 光电子器件 量子阱 能带结构 载流子 压力效应

作者: 朱俊 班士良

作者单位: 内蒙古大学物理科学与技术学院,呼和浩特,010021

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 197

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）