硅基微纳波导载流子注入高速电光开关的设计制备

摘要：

硅基微纳波导高速电光开关是实现芯片光互连的关键性光子器件，PIN载流子注入型电光开关具有调制效率高、制备工艺相对简单的优点。本文报道在SOI材料上设计制备的微纳波导MZI结构载流子注入高速电光开关，开关响应时间为几纳秒，消光比优于28dB。

关键词： 电光开关 制备工艺 载流子注入 微纳波导

作者: 陈少武 徐学俊 屠晓光

作者单位: 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 198

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）