GaAs HBT电子辐照效应研究

摘要：

在宇宙空间存在由各种高能质子、高能电子、X射线、中子、γ射线等组成的宇宙射线。为提高电子器件在各种辐照环境下的生存能力和可靠性，确保电子设备在辐照环境下正常工作，必须开展电子器件的辐照效应研究。电子辐照后，GaAs HBT的基极电流增加，集电极电流减少，电流增益减少；残余电压、膝点电压增加,发射结和集电结导通电压减少，击穿电压增加。

关键词： 辐照效应 电子器件 基极电流 残余电压

作者: 田野 何志刚 唐龙谷 石瑞英

作者单位: 四川大学物理科学与技术学院,四川,成都,610064

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体物理学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 200-201

在线出版日期: 2009-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）