锌源温度对MOCVD法生长的ZnO薄膜性质的影响
ZnO是近十几年来倍受关注的多功能Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，是可用于制作短波长发光器件、大面积平板显示器件、太阳能电池、气体传感器等的重要材料。目前对于ZnO材料在光电子学领域的研究已经取得许多重要的进展。笔者测试了不同锌源温度下生长的Zn0薄膜室温PL谱，四个样品都显示出明显的带边发光峰。随锌源温度的降低，带边发光峰的强度逐渐增强，其紫外峰的位置依次为3.284eV, 3.284eV,3.293eV和3.296eV，出现了蓝移。在可见光区，锌源温度的降低使深能级发光峰更加显著，带边发光峰和深能级发光峰强度的比值迅速下降，Zn0薄膜的发光质量变差。
氧化锌 薄膜性质 半导体材料 发光峰强度
马艳 杜国同 夏晓川 赵旺 王谨 董鑫 张宝林
吉林大学电子学院
国内会议
长春
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2009-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）