脉冲激光沉积法制备MgxZn1-xO薄膜及其性能测定
ZnO是一种直接带隙的半导体材料，通过Mg的掺杂可调节其禁带宽度，从而使得MgxZn1-xO成为紫外探测器的重要候选材料。本文采用Mg0.2Zn0.8O陶瓷钯，通过脉冲激光沉积(PLD)法，在单晶Si(100)和石英衬底上生长了MgxZn1-xO合金薄膜。通过X射线衍射(XRJ))、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见分光光度计等手段，研究了不同的衬底温度和工作压强对薄膜样品的晶体结构、微观形貌和光学性质的影响。利用Au作电极，制作成金属一半导体一金属(MSM)型探测器，并对其光响应及IV特性进行测量分析。
脉冲激光沉积 半导体材料 氧化锌 合金薄膜 光学性质
朱德亮 陈吉星 曹培江 贾芳 柳文军 马晓翠 吕有明
深圳大学材料学院,深圳市特种功能材料重点实验室,518060
国内会议
长春
中文
46
2009-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）