直流反应磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜的正交设计

摘要：

本文通过正交设计研究了多因素对直流反应磁控溅射ZnO:Ga薄膜光电性能的影响并且分析了不同参数的影响程度。

关键词： 磁控溅射 正交设计 薄膜制备 光电性能

作者: 别勋 吕建国 叶志镇

作者单位: 浙江大学,硅材料国家重点实验室,杭州,310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届全国氧化锌学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 121-122

在线出版日期: 2009-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）